11 BGA 电源扇出和去耦放置

45nm CMOS 技术可实现更快的内核速率和 SRAM 时钟速率，以及适用于 LVCMOS I/O 缓冲器的更快的边沿速率。因此，与以前的 MCU 工艺节点相比，谨慎地布置电源和接地回路对于使用 AM273x 设计实现更佳的电源完整性、信号完整性和 EMI 性能至关重要。

建议设计人员遵循 AM273x GPEVM 或 4 层 ZCE 或 NZN 迂回布线设计中实施的类似配电布局，以便在所有工作条件和 EMI 测试条件下实现良好的电源完整性结果。

AM273 GPEVM 代表了迄今为止更优化且经更仔细审查的配电布局示例，本节对此予以介绍。