ZHCACB2A
March 2023 – November 2023
AM2732
,
AM2732-Q1
1
摘要
商标
1
引言
1.1
首字母缩写词
2
电源
2.1
分立式直流/直流电源解决方案
2.2
集成的 PMIC 电源解决方案
2.3
电源去耦和滤波
2.4
功耗
3
计时
3.1
晶体和振荡器输入选项
3.2
输出时钟生成
3.3
晶体选择和并联电容
3.4
晶体放置和布线
4
复位
5
自举
5.1
SOP 信号实现
5.2
QSPI 存储器控制器实现
5.3
ROM QSPI 引导要求
6
JTAG 仿真器和跟踪
7
多路复用外设
8
数字外设
8.1
通用数字外设布线指南
9
层堆叠
9.1
TMDS273GPEVM 层堆叠
9.1.1
TMDS273GPEVM 关键层叠特性
9.2
四层 ZCE 示例层堆叠
9.2.1
ZCE 四层示例关键层叠特性
9.3
四层 NZN 示例层堆叠
9.3.1
NZN 四层示例关键层叠特性
10
过孔
11
BGA 电源扇出和去耦放置
11.1
接地回路
11.1.1
接地回路 - TMDS273GPEVM
11.1.2
接地回路 - ZCE 四层示例
11.1.3
接地回路 - NZN 四层示例
11.2
1.2V 内核数字电源
11.2.1
1.2V 内核数字电源主要布局注意事项
11.2.1.1
1.2V 内核布局 - TMDS273GPEVM
11.2.1.2
1.2V 内核布局 - ZCE 四层示例
11.2.1.3
1.2V 内核布局 - NZN 四层示例
11.3
3.3V 数字和模拟电源
11.3.1
3.3V 数字和模拟电源主要布局注意事项
11.3.1.1
3.3V 数字和模拟布局 - TMDS273GPEVM
11.3.1.2
3.3V 数字和模拟布局 - ZCE 四层示例
11.3.1.3
3.3V 数字和模拟布局 - NZN 四层示例
11.4
1.8V 数字和模拟电源
11.4.1
1.8V 数字和模拟电源主要布局注意事项
11.4.1.1
1.8V 数字和模拟布局 - TMDS273GPEVM
11.4.1.2
1.8V 数字和模拟布局 - ZCE 四层示例
11.4.1.3
1.8V 数字和模拟布局 - NZN 四层示例
12
参考文献
13
修订历史记录
9.1.1
TMDS273GPEVM 关键层叠特性
标准 62mil 总厚度
L1、L3、L8 和 L10 上的 4 个可选受控阻抗布线层。
所有信号层和电源层都具有相邻的接地基准,以实现受控阻抗规划和 EMI 性能
L5 电源和 L4 GND 回路层之间以及 L6 电源和 L7 GND 回路层之间的更小电介质厚度可实现更佳的平面电容性能,有助于实现电源完整性和 EMI。
具有所有穿孔过孔层转换的扇出示例 – 无需微过孔或焊盘中的过孔。
表 9-1 TMDS273GPEVM 层利用情况
层编号
备注
覆铜 1(顶部)
顶层安装和信号布线
覆铜 2
接地回路平面
覆铜 3
嵌入式微带/带状线信号布线和电源布线
覆铜 4
接地回路平面
覆铜 5
电源布线
覆铜 6
电源布线
覆铜 7
接地回路平面
覆铜 8
嵌入式微带/带状线信号布线和电源布线
覆铜 9
接地回路平面
覆铜 10(底部)
底层安装和信号布线
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