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ZHCACD6A February 2023 – December 2023 AM62A3 , AM62A3-Q1 , AM62A7 , AM62A7-Q1 , AM62P , AM62P-Q1

高速 (HS) 旁路电容器对于 DDR 接口的正常运行至关重要。最大限度地减小连接到 VDDS_DDR 和相关接地接头的 HS 旁路电容器的寄生串联电感尤为重要。表 1-3 包含针对 HS 旁路电容器和 PCB 上的电源接头的规格。一般来说，TI 建议：

安装尽可能多的 HS 旁路电容器。
最大限度地减小从旁路电容器到被旁路的引脚和焊球的距离。
使用物理尺寸尽可能小且具有最高可现用电容的陶瓷电容器。
使用尽可能宽的布线和尽可能大的过孔尺寸将旁路电容器焊盘连接到其过孔。
最大限度地减少过孔共享。请注意表 1-3 中显示的对过孔共享的限制。
使用三端电容器，而不是两端电容器。三端电容器提供较低的环路电感，一个三端电容器可以代替多个两端电容器，从而进一步优化环路电感。有关示例，请参阅 AM62A 低功耗 SK EVM 用户指南 (SPRUJ66) 或 AM62P SK EVM 用户指南 (SPRUJA2)。

有关任何其他 SDRAM 要求，请参阅制造商的数据表。

表 1-3 高速旁路电容器

数量	参数	最小值	典型值	最大值	单位
1	HS 旁路电容器封装尺寸 ⁽¹⁾		0201	0402	10 Mils
2	HS 旁路电容器到被旁路的处理器的距离 ⁽²⁾⁽³⁾⁽⁴⁾			400	Mils
3	每个 VDDS_DDR 电源轨的处理器 HS 旁路电容器数量⁽⁵⁾	12			器件
4	每个 VDDS_DDR 电源轨的处理器 HS 旁路电容器总电容	3.7			µF
5	每个器件电源/接地焊球的连接过孔数量	1			过孔
6	从处理器电源/接地焊球到连接过孔的布线长度 ⁽²⁾		35	70	mil
7	HS 旁路电容器到被旁路的 DDR 器件的距离⁽⁶⁾			150	Mils
8	DDR 器件 HS 旁路电容器数量⁽⁵⁾⁽⁷⁾	12			器件
9	DDR 器件 HS 旁路电容器总电容⁽⁷⁾	0.85			µF
10	每个 HS 电容器的连接过孔数量 ⁽⁸⁾⁽⁹⁾	2			过孔
11	从旁路电容器到连接过孔的布线长度 ⁽²⁾⁽⁹⁾		35	100	Mils
12	每个 DDR 器件电源/接地焊球的连接过孔数量	1			过孔
13	从 DDR 器件电源/接地焊球到连接过孔的布线长度⁽²⁾		35	60	mil

(1) LxW，10mil 单位，即 0402 是一种 40 x 20mil 表面贴装电容器。

(2) 越近/越短越好。

(3) 从最近的处理器电源或接地焊球到电容器封装中心进行测量。

(4) 其中五个电容器应位于处理器下方的 VDDS_DDR 焊球簇中。

(5) 低 ESL/多端电容器可进一步减少所需的旁路电容器数量。

(6) 从 DDR 器件电源或接地焊球到电容器封装中心进行测量。更多相关信息，请参阅 SDRAM 制造商提供的指南。

(7) 每个 DDR 器件。更多相关信息，请参阅 SDRAM 制造商提供的指南。

(8) 仅当附加 HS 旁路电容器安装在电路板的另一侧时，它才能共享连接过孔。不允许在电路板的同一侧共享过孔。

(9) HS 旁路电容器可与安装在 PCB 同一侧的 DDR 器件共享一个过孔。应使用较宽的布线进行连接，并且从电容器焊盘到 DDR 器件焊盘的长度应小于 150mil。