重要的是配置仿真，使系统按照真实但最坏的情况参数进行测试。

• 使用最坏情况位模式来激励系统。仿真器应该能够根据通道特性生成最坏情况下的位模式。
• 从最适合系统的 IBIS 文件中选择控制器和 DRAM 模型（设置驱动强度、ODT、VOH 级别等）。
  • 这通常是一个迭代过程。
  • 每个系统都是独特的，这些参数的最佳设置因系统而异。
    表 3-1 示例数据写入 ODI/ODT 优化

    封装字节	电路板	ODI Ω	ODT Ω	总 EW 裕度 (ps)	总 EH 裕度 (mV)
    B3	J7 370HR 10L 参考 B3，无 BD	40	40	50.28	15.66
    B3	J7 370HR 10L 参考 B3，无 BD	40	48	27.62	11.76
    B3	J7 370HR 10L 参考 B3，无 BD	40	40	33.52	2.92
    B3	J7 370HR 10L 参考 B3，无 BD	48	48	1.54	0.86

• 可以独立设置数据总线和地址总线 ODT 和驱动强度值。例如，J7 EVM 电路板（以类似速度支持 LPDDR4）使用 40Ω ODT 进行数据读/写，将 80Ω 用于 CA 总线。数据读/写和 CA 的驱动强度为 40Ω。
  • 数据读取控制器模型 - lpddr4_odt_40、lpddr4_odt_40_diff
  • 数据写入控制器模型 - lpddr4_ocd_40p_40n、lpddr4_ocd_40p_40n_diff
  • CA/CLK 控制器模型 - lpddr4_ocd_40p_40n、lpddr4_ocd_40p_40n_diff
• 设置通道仿真参数。这些参数通常包括数据速率、忽略时间/位、最小位数、位采样率、BER 底限、显示位数、BER 眼图类型（电压和/或时序）和目标 BER。
  • 为了确定最小位数，可以运行一系列不同位数的通道仿真。BER 信号眼图（和裕量）在达到特定的最小位数后趋于收敛。这应该有助于确定用于系统的最小位数。
  • 运行通道仿真以生成 LBER 为 -16 的眼图。
• 在不同 PVT 角处通过非理想功率设置来运行通道仿真。建议至少在 SSHT 和 FFLT 角处运行仿真。