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ZHCACD6A February 2023 – December 2023 AM62A3 , AM62A3-Q1 , AM62A7 , AM62A7-Q1 , AM62P , AM62P-Q1

需要使用大容量旁路电容器以实现 DDR SDRAM 和其他电路的中速旁路。表 1-2 包含所需大容量旁路电容器的最小数量和最小电容。表 1-2 仅满足 SoC 的 DDR PHY 的旁路需求。其他电路可能需要额外的大容量旁路电容。有关 SDRAM 器件的任何其他去耦要求，请参阅制造商数据表

表 1-2 大容量旁路电容器

数量	参数	最小值	最大值	单位
1	VDDS_DDR 大容量旁路电容器数量⁽¹⁾	1 ⁽²⁾		器件
2	VDDS_DDR 大容量旁路总电容	10 ⁽²⁾		µF

(1) 应将这些器件放置在其要绕过的器件附近，但应优先放置高速 (HS) 旁路电容器和 DDR 信号线路。

(2) 本指南中的电容器建议仅反映该处理器的需求。有关如何适当放置存储器器件自身的去耦电容器，请参阅存储器件供应商的指南。