您可以使用最小电容值为 10µF 的陶瓷旁路电容器 CBYP 来降低输入电源噪声。必须考虑 CBYP 的额定电压，因为该电容器将承受等于 VIN 和 –VOUT 之间的完整电压范围的应力。一般情况下，使用至少是整个预期电压范围额定电压两倍的电容器。

但是，包含 CBYP 电容器会引入从 VIN 到 –VOUT 的交流路径，并可能导致瞬态响应恶化。当 VIN 施加到电路时，旁路电容器上的 dV/dt 会产生一个必须返回接地以完成环路的电流。该电流可能流过 MOSFET 的内部低侧体二极管和电感器，再返回地。TI 建议在 -VOUT 和 SYS_GND 之间放置一个肖特基二极管，避免损坏上述内部低侧 MOSFET。此外，该肖特基二极管将降低由快速 VIN 启动导致的 –VOUT 下的潜在正输出电压尖峰，如图 2-2 所示。如果预计会出现较大的线路瞬变，请增大输出电容以使输出电压保持在可接受的电平范围内。

请注意，为了使系统保持稳定，必须有一个输入电源电容器来帮助抑制可能耦合到电路中的高频噪声。添加具有中等 ESR 的电解电容器 CBULK 有助于抑制长电源引线引起的任何输入电源振铃。应在 V_IN 和 SYS_GND 两端添加该 CBULK 电容器。

图 2-1 具有肖特基二极管和大容量电容器及旁路电容器的 TPSM365R6 IBB

图 2-2 使用肖特基二极管的 TPSM365R6 IBB 启动