CMOS 运算放大器由整个器件中的互补 MOS 晶体管（NMOS 和 PMOS 一起）组成。在所有三种工艺中，CMOS 器件通常具有低 V_OS 和最低的温漂。

CMOS 差分输入电路与图 3-1 中的双极输入电路相同，使用 MOS 晶体管代替 Q₁ 和 Q₂。推导出的环路公式与方程式 13 相同。方程式 13 中 V_GS 的 MOSFET 定义代入方程式 13并处理成方程式 14 的形式。在这里，V_OS 主要是由阈值电压 V_T（不要与双极器件的热电压 V_T 相混淆）的差异造成的。这些是由晶体管中通道的宽度、长度、厚度和掺杂程度的变化引起的（请参阅 Gray 和 Meyer [2]）。