JFET 运算放大器由一个 JFET 输入级以及增益和输出级中的 BJT 组成。此类器件通常具有最高的 V_OS 和三种工艺类型的温漂。这可以归因于 JFET 的跨导，比 BJT 的跨导低（请参阅 Gray 和 Meyer [2]）。JFET 运算放大器牺牲了直流精度，因此通常在需要高输入阻抗或交流性能时使用。

JFET 差分输入电路与图 4-1 中所示的双极电路相同，使用 JFET 晶体管代替 Q₁ 和 Q₂。集电极负载电阻器 R_C 现在变成漏极负载电阻器 R_D。基尔霍夫电压定律也被用来推导方程式 13。V_GS 在方程式 14 中定义，假定 JFET 是平方律器件，并代入方程式 13，得出方程式 8。

JFET 对 Q₁、Q₂、R_D 和 I_REF 通道中的失配引起的偏置电流变化更为敏感，因此总 V_OS 高于双极差分输入级。JFET 工艺的 V_OS 主要是由于方程式 8 的第一项（括号中）所示的器件夹断电压 (V_P) 的失配而产生的。通道掺杂程度和厚度是产生该误差的 V_P 的分量。第二项和第三项也有一些由 V_P 引入的误差，以及由 I_D 引入的误差（由输入晶体管的通道几何形状和掺杂程度导致的 R_D 和 I_DSS 失配引起）。总体结果是 Q₁ 和 Q₂ 的 V_GS 电压不同，导致 V_OS 出现在运算放大器输入端。

使用方程式 5 计算类似于双极型的 JFET 的总 V_OS。