大多数运算放大器在制造过程中都会进行某种形式的失调电压修整。具有双极和 JFET 输入的运算放大器使用齐纳二极管修整技术来降低失调电压。使用该方法，可以将具有串联电阻的齐纳二极管网络与偏置集电极/漏极电阻器并联。然后，齐纳二极管根据需要进行熔断来增加并联电阻，从而降低电路所需桥臂中的总偏置电阻。

具有 CMOS 输入的运算放大器使用保险丝链路修整网络，因为 CMOS 二极管结构不可用。使用该方法可以将保险丝与电阻器而不是齐纳二极管串联。移除保险丝后，并联电阻减小，并且电路所需桥臂中的偏置电阻增大。

激光修整是常用于降低 V_OS 的另一种替代方法。创建一个电阻网络，然后消除了其中的一部分，从而增加或减少电阻并平衡差分对每个桥臂中的电流。这种技术更为精确，专用于精密器件。

采用多种运算放大器封装（双通道和四通道）的器件通常具有的修整功能较少。这是因为在硅片上增加修整网络所需的空间减小了。封装上的多个运算放大器，尤其是四通道运算放大器，占用了所有可用空间。因此，四通道封装上的一个或多个运算放大器的失调电压额定值可能高于单通道或双通道封装器件，尽管 IC 的良好设计和布局往往可以防止这种情况发生。