闪存耐写次数通常为 10000 次，远低于实际 EEPROM。EEPROM 仿真的一个特性是其耐写次数高于闪存。闪存扇区将划分为多个数据项并逐一写入数据，不需要每次写入时都进行擦除，而是只在写满之后才需要擦除。此外，通过使用多个闪存扇区，等效的耐写次数将进一步提高。

一个组中的扇区数量以及组的数量都会影响等效的擦除/写入次数。由于一个组中的扇区数量已经在上面确定，因此现在可以通过调整组数来获得合理的等效擦除/写入次数。

建议用户在选择合理的组数之前计算应用程序所需的耐写次数。

对于三个可由用户配置的参数，建议的设计流程如下：

1. 计算应用程序所需的数据项数，并选择一个组中的合理扇区数。
2. 计算应用程序所需的耐写次数，并选择合理的组数。
3. 选择合适的闪存地址。

例如，有一个应用程序需要每 10 分钟更新一次 EEPROM 中的数据，共有 20 个变量，并需要保证 10 年不间断服务能力。首先，每个组只需要 1 个扇区（127 个数据项）。其次，应用程序所需的耐写次数为 525600 次（10 年 × 365 天 × 24 小时 × 6 次/小时）。需要九组，等效的耐写次数为 571500 次。