EEPROM 可以多次擦除和写入存储器的单个字节，即使系统断电，已编程的位置也能长时间保留数据。

闪存的密度高于 EEPROM，因此可以在芯片上实现更大的存储器阵列（扇区）。闪存擦除/写入周期是通过对各个存储单元施加时控电压来执行的。在擦除时，每个单元（位）读取逻辑值 1。因此，每个闪存位置在擦除后的读数为 0xFFFF。通过编程可以将存储单元更改为逻辑 0。可以重写任何字，将位从逻辑 1 更改为逻辑 0；但反过来则不行。此外，闪存有一项限制是必须按区域擦除存储器。对于 MSPM0 MCU，擦除分辨率是大小为 1k 字节的扇区。

EEPROM 与闪存的一个主要区别是耐写次数。闪存耐写次数通常为 10000 次，远低于实际 EEPROM。EEPROM 仿真是一种基于闪存的软件，旨在提供可满足应用需求的等效耐写次数。闪存还会仿真 EEPROM 的行为，从而简化读写数据的操作。

典型的仿真方案涉及使用闪存的一部分并将其划分成多个区域。这些区域交替用于存储数据。由于闪存需要按块进行擦除，因此必须保留完整的闪存扇区用于 EEPROM 仿真。为了实现磨损均衡，至少使用两个扇区。