DP_IN/DM_IN 的 VBAT 短路保护功能由内部保护电路和外部电容 C3 实现（请参阅图 2-5）。当 DP_IN/DM_IN 短接至 VBAT 时，部分电压尖峰被内部保护电路钳制，而另一部分则由外部 C3 通过内部二极管 Z1 或 Z2 吸收。同时，输出电容 C4 和 C2 也被充电，从而有效吸收电压尖峰。图 2-6 显示了测试结果。

图 2-5 上电并将 DP_IN/DM_IN 短接至 VBAT 的测试设置

CH1 = 5V/div，CH2 = 5V/div，CH3 = 5V/div，1µS/div

图 2-6 在上电并将 DP_IN 短接至 VBAT 的条件下测试