ZHCACV7A July 2023 – September 2024 LMV821-N , LMV831 , OPA2991 , OPA345 , OPA376 , OPA376-Q1 , OPA377 , OPA377-Q1 , OPA4991 , OPA991 , TL074 , TLV376 , TLV9001 , TLV9002 , TS321
3.1 压摆升压示例 1
CMOS 压摆增强简化电路原理图（图 3-2）包含一个额外的电流源，当 VID 变得足够大时，该电流源会使电容器充电电流增加至超过偏置电流电平。增强功能具有一个死区，输出电流为零，而输入 VID 为低电平。当 VID 较大时，增强电流 (IX) 将随 VID 输入升高。这种额外电流会显著增加压摆率。升压电路可提供正负电流来提升正负压摆率。
图 3-2 CMOS 压摆增强简化电路原理图增强电流 (IX) 与 VID 可能会成比例，或它可能在特定的 VID 电平时跃升。TLV9001 采用图 3-3 中所示的两种方法。负 SR 增强（红色）在接近 -140mV 时按比例增加。正压摆率增强（图 3-3 中显示为黑色）突然增加至接近 +270mV，然后按比例升高。无论升压类型如何，升压电流输出都有限制。对于非常大的 VID，压摆率会成为固定值。在 TLV9001 示例中，较慢的 SR 约为 2V/µs，与数据表值相符。
图 3-3 具有增强时的 TLV9001 压摆率