为了减少二极管中的压降和功率损耗,建议使用强制直通功能(待机模式)。如图 2-3 所示,在关断期间,高侧 P-MOS 仍然可以通过将栅极拉至接地来导通。
输出电压等于输入电压减去电感器 DCR 和 P-MOS Rdson 两端的压降。输出电压跟随输入电压。
方程式 3.
方程式 4.
TPS61253 集成了强制直通模式。图 2-4 展示了 TPS61253 的关断波形。与体二极管导通操作相比,P-MOS 中的压降和功率损耗要小于体二极管。但是,电感器位于连接路径中,因此电感器功率损耗仍然存在。使用 50Ω 电阻负载时,关断期间存在电感器电流。