如果高侧 MOSFET 无法切换体二极管方向，则需要一个单独的隔离 MOSFET。ISO-FET 的体二极管阴极连接至输入侧。当 EN 为低电平时，ISO FET 关断，在关断期间完全切断输入侧和输出侧之间的路径，并实现真正断开。

ISO FET 可以放置在输出或输入路径上。TPS61378-Q1 在输出路径上与一个分离的 N-MOS 隔离 FET 集成，如图 3-3 所示。TPS61376 会将分离的 N-MOS 隔离 FET 移至输入路径，如图 3-4 所示。在这种情况下，ISO FET 可重复用作电感器电流检测 FET。因此，TPS61376 可以对输入平均电流限制阈值进行编程。TPS61378 和 TPS61376 的关断波形与图 3-2 类似。

图 3-3 TPS61378-Q1：输出路径上的 ISO-FET

图 3-4 TPS61376：输入路径上的 ISO-FET