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ZHCAD40A August 2018 – September 2023 UCC27710 , UCC27712 , UCC27714

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针对半桥配置的自举电路选择
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1引言
2自举电路的基本操作
3自举元件选择
1. 3.1 自举电容器
2. 8
3. 3.2 VDD 旁路电容器
4. 3.3 外部自举二极管
5. 11
6. 3.4 自举电阻
7. 13
4自举元件的布局注意事项
5总结
6参考文献
7修订历史记录

确定栅极电荷后，可以使用方程式 2 来估算自举电容的最小值：

方程式 2.

C_{boot} \geq 10 \times C_{g}

或者，可以使用方程式 3 来更准确地计算最小自举电容值：

方程式 3.

C_{boot} \geq \frac{Q_{total}}{∆ V_{HB}} Q_{total} = Q_{G} + I_{HBS} \times \frac{D_{\max}}{f_{sw}} + \frac{I_{HB}}{f_{sw}} 其中 ： \cdot Q_{G} = 总 MOSFET 栅极 电荷 （ MOSFET 的 数据表 ） \cdot I_{HBS} = HB 到 VSS 漏 电流 （ 栅极 驱动器 的 数据表 ） \cdot D_{\max} = 最大 占空 比 \cdot I_{HB} = HB 静态 电流 （ 栅极 驱动器 的 数据表 ） 和 ∆ V_{HB} = V_{DD} - V_{DH} - V_{HBL} 其中 ： \cdot V_{DD} = 栅极 驱动器 IC 的 电 源 电压 \cdot V_{DH} = 自举 二极管 正向 压 降 （ 自举 二极管 数据表 ） \cdot V_{HBL} = HB UVLO 下降 阈值 （ 栅极 驱动器 数据表 ）

需要注意的是，如果值低于所需的最小自举电容值，可能会激活驱动器的 UVLO，从而过早关断高侧 FET。另一方面，较高的自举电容值会在某些情况下（在对自举电容器进行初始充电时或具有较窄的自举充电周期）导致较低的纹波电压和较长的反向恢复时间，以及较高的峰值电流流过自举二极管。方程式 4 展示了自举电容与流经自举二极管的峰值电流之间的关系。

方程式 4.

I_{peak} = C_{boot} \times \frac{Dv}{dt}

通常建议使用具有良好额定电压 (2xVDD)、温度系数和电容差的低 ESR 和低 ESL、表面贴装型多层陶瓷电容器 (MLCC)。