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ZHCAD40A August 2018 – September 2023 UCC27710 , UCC27712 , UCC27714

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针对半桥配置的自举电路选择
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1引言
2自举电路的基本操作
3自举元件选择
1. 3.1 自举电容器
2. 8
3. 3.2 VDD 旁路电容器
4. 3.3 外部自举二极管
5. 11
6. 3.4 自举电阻
7. 13
4自举元件的布局注意事项
5总结
6参考文献
7修订历史记录

3.1 自举电容器

从设计角度来看，这是最重要的元件，因为它提供了低阻抗路径来提供高峰值电流，从而为高侧开关充电。根据一般的经验法则，该自举电容器的大小应确保能够提供足够的能量来驱动高侧 MOSFET 的栅极，而不会导致损耗超过 10%。该自举电容器应至少比高侧 FET 的栅极电容大 10 倍。其原因是需要考虑直流偏置和温度导致的电容变化，另外还有负载瞬态期间跳过的周期。栅极电容可以使用方程式 1 来确定：

方程式 1.

C_{g} = \frac{Q_{g}}{V_{Q_{1 g}}} 其中 Q_{g} ： 栅极 电荷 （ MOSFET 的 数据表 ） V_{Q_{1 g}} = V_{DD} - V_{BootDiode} 其中 V_{BootDiode} ： 自举 二极 管 上的 正 向 压降 。