ZHCAD40A August   2018  – September 2023 UCC27710 , UCC27712 , UCC27714

 

  1.   1
  2.   针对半桥配置的自举电路选择
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2自举电路的基本操作
  6. 3自举元件选择
    1. 3.1 自举电容器
    2.     8
    3. 3.2 VDD 旁路电容器
    4. 3.3 外部自举二极管
    5.     11
    6. 3.4 自举电阻
    7.     13
  7. 4自举元件的布局注意事项
  8. 5总结
  9. 6参考文献
  10. 7修订历史记录

这个时间常数出现在高侧关断时间内,解释了与占空比的依赖关系。由于该占空比是恒定的,因此应适当调整自举电阻器和自举电容器以实现所需的启动时间。增加自举电阻值将增加时间常数,从而导致启动时间延长。

此外,选择的自举电阻器必须能够承受自举电容器的第一次充电过程中出现的高功耗。该功耗可以通过方程式 7 进行估算:

方程式 7. 12×Cboot×VCboot2

该功耗在自举电容器的充电期间产生,并可使用方程式 8 进行估算:

方程式 8. E3×Cboot×Rboot

该电阻器对于限制启动时流经自举二极管的峰值电流以及限制 HB-HS(高侧浮动电源到返回高侧浮动电源)的 dv/dt 至关重要。通过此电阻器的峰值电流可以使用方程式 9 进行计算:

方程式 9. Ipk=VDD-VBootDiodeRboot

图 3-4 展示了使用 0Ω 电阻时 VDD (CH4) 和 HB-HS (CH1) 的快速斜升,这会导致 LO (CH3) 和 HO (CH2) 上的电压发生意外变化。

GUID-B6651563-BCAE-4358-A5E9-BE5D38F066DD-low.gif图 3-4 VDD/HB-HS 快速斜升 (Rboot = 0Ω)

图 3-5 展示了使用略大的电阻值 (Rboot = 2.2Ω) 如何解决此问题。需要注意的是,在图 3-5 中观察到的偏置上升速率并非适用于所有驱动器。

GUID-7CD761F4-46F1-430B-9655-CFE4183EA3F2-low.gif图 3-5 VDD/HB-HS 快速斜升 (Rboot = 2.2Ω)