为了尽可能地降低与二极管反向恢复特性和接地噪声反弹相关的损耗，建议使用具有低正向压降和低结电容的快速恢复二极管或肖特基二极管。使用肖特基二极管可降低从自举电容器向栅极驱动器电源回馈电荷的相关风险，并更大限度地降低漏电流。图 3-1 展示了在 HB-HS(Ch1) 上使用具有反向恢复时间的二极管时的反向恢复损耗。我们可以观察到 HB-HS 引脚上存在大量过冲和下冲，这可以触发驱动器的 UVLO 并关闭栅极驱动器。

当 HS 引脚（开关节点）被拉至更高的电压时，二极管必须能够足够快地反向偏置，以阻止从自举电容器到 VDD 电源的任何电荷。应仔细选择该自举二极管，使其能够处理启动期间的峰值瞬态电流，并使其额定电压高于系统直流链路电压且具有足够的裕度。

图 3-1 自举二极管反向恢复时间引起的反向恢复损耗

下面的图 3-2 展示了通过设置时序专门在二极管电流的情况下将开关节点强制为高电平而形成的反向恢复条件（通道 1）。

图 3-2 自举二极管反向恢复时间引起的反向恢复损耗（缩小图）