3 如何控制低频 MOSFET

由于与二极管相比，MOSFET 的导通损耗更低，所以在通常情况下，为了进一步提高效率，MOSFET 将用作低频 FET（在电网频率下驱动，通常为 50Hz 或 60Hz），如 Q3 和 Q4 所示。由于是在电网频率下驱动，始终处于高电平或低电平状态，因此一些用户可能会选择 GPIO 来控制低频 MOSFET。但是，出于可靠性考虑，我们仍建议使用 ePWM 输出作为控制信号，以便可以确保 MOSFET 在故障情况下的快速保护响应。否则，当 ISR 负责将 GPIO 设置为低电平状态时导致的延迟可能会给系统带来风险。

为了简化配置，可以使用 AQ 子模块的连续软件强制操作。例如，如果在正周期中为 Q3 使用 ePWMxA，为 Q4 使用 ePWMxB，则可以应用以下设置。

EPWM_setActionQualifierContSWForceAction(base, EPWM_AQ_OUTPUT_A, EPWM_AQ_SW_OUTPUT_LOW);
EPWM_setActionQualifierContSWForceAction(base, EPWM_AQ_OUTPUT_B, EPWM_AQ_SW_OUTPUT_HIGH);

请注意，在故障条件下为低频 MOSFET 启用 TZ 子模块动作时，应使用一次性跳闸模式，而不是 CBC 模式；因为在一般情况下，为低频 FET 所选的 MOSFET 不适合硬开关条件。此外，在单次触发模式下输出为低电平后，可以在下一个过零点清除 TZ 标志，从而使低频 MOSFET 对系统的影响最小。