图 3-5 15pF 负载高于最大数据速率

图 3-6 100pF 负载高于最大数据速率

图 3-13 和图 3-11 展示了不同负载条件下的单稳态表现示例及负载的影响。在数据速率较快的情况下，单稳态可能会提前超时。这将影响信号未被拉高至足够高，以达到所需的输出电压电平。

图 3-7 15pF 负载低于最大数据速率

图 3-8 100pF 负载低于最大数据速率

较低的速度通常可以通过较高的负载实现，反之亦然，如图 3-14 和图 3-18 所示。为了实现最佳运行，对于速度更快的应用，应考虑使用更低的负载。除非数据表中另有说明，否则 >70pF 在超过建议的更快速度下运行会影响单稳态设计持续时间，从而导致误触发系统故障。

图 3-9 最大数据速率下的集总电容影响

单稳态与 RC 密切相关，而 RC 会显著影响器件的速度性能，因为数据速率取决于 RC 电路。虽然不建议对 TXB 和 TXS 器件使用强上拉电阻，但与 TXS 或 TXB 数据表建议类似，应根据数据速率要求仔细考虑集总容性负载。如图所示，单稳态可能会触发不必要的输出和整体系统故障。除了负载外，长走线和连接器也会给总体集总电容增加寄生电容。