如图 2-1 中所示，使用陶瓷旁路电容器 C_BYPS，最小电容为 10μF。必须考虑额定电压，因为该电容器将承受等于 V_IN 和 V_OUT 之间的完整电压范围的应力。

为了使系统保持稳定，必须有一个输入电源电容器来帮助抑制可能耦合到电路中的高频噪声。具有中等 ESR 的电解电容器有助于抑制长电源引线引起的任何输入电源振铃。使用 TPSM63610EVM 时，必须在 V_IN 和 SYS_GND 之间添加 C_BULK 电容器。

考虑到添加 C_BYPS 电容器会引入从 V_IN 到 V_OUT 的交流路径，并可能导致瞬态响应恶化。将 V_IN 施加到电路时，旁路电容器上的此 dV/dt 会产生一个必须返回接地以完成环路的电流。该电流可能流过 MOSFET 的内部低侧体二极管和电感器，再返回地。对于这种情况，建议在 -V_OUT 和 SYS GND 之间放置一个肖特基二极管。如果预计会出现较大的线路瞬变，请增大输出电容以使输出电压保持在可接受的电平范围内。

图 2-1 TPSM63610 反相降压/升压原理图