并联基准需要最小阴极电流才能正常运行。该电流在每个器件的数据表中提供，并且在不同器件之间可能存在很大差异。使用偏置电阻来验证这些并联基准是否正常运行，以便偏置电流流入并联基准阴极而不影响通过光耦合器的反馈信号。有两种常见的拓扑可用于对 SSR 的并联基准进行偏置；一种拓扑将偏置电阻与光耦合器二极管并联，而另一种拓扑则将该偏置电阻直接从系统输出端置于并联基准阴极。

图 2-3 对并联基准进行偏置的拓扑 1

如图 2-4 所示，当偏置电阻 R_bias 与光耦合器二极管并联时，最小偏置电阻一般可以用方程式 2 计算得出，其中 V_F(drop) 是二极管的预期正向压降，I_KA(min) 是所选并联基准的最小阴极电流。

光耦合器二极管两端的正向压降是非线性的，随正向电流和温度而变化。当反激式转换器受到最大负载条件的影响时，光耦合器的稳态正向电流为最小值（由于需要 PWM 控制器提供更高的功率输出），这会降低光耦合器二极管的正向压降。这表明在最大负载条件下，提供给并联基准的偏置电流已最小化，这意味着在选择 R_bias 时，可在方程式 2 中使用最小预期正向压降 V_F(drop)，以防止反激式转换器在最大负载条件下出现意外偏置不足。这可以确保并联基准在所有负载条件下均会正确偏置。

图 2-4 对并联基准进行偏置的拓扑 2

在图 2-4 所示的第二种拓扑中，反激式输出与并联基准阴极引脚之间建立了偏置电阻。并联基准控制光耦合器电流并充当误差放大器。为此拓扑选择偏置电阻与之前的拓扑类似；但是，由于必须考虑光耦合器电阻两端的额外压降，因此该偏置电阻的预期压降在不同负载条件下变化更大。

方程式 3 展示了用于计算最大偏置电阻 R_bias 的公式。阴极电压 V_KA 是由经过次级侧光耦二极管的预期反馈电流确定的，可以用输出电压 V_out 减去次级侧光耦二极管和电阻的压降计算出。将偏置电阻降至此计算值以下会使偏置电流升至高于 I_KA(min)，从而耗散额外功率，但性能没有明显改善。在最大负载条件下，预计流经光耦合器二极管 IFB（次级）的反馈电流将低于空载条件（待机模式）下的该电流。这表明这些元件两端的压降有所减少，从而增大了并联基准处的阴极电压 V_KA。因此，与第一种拓扑类似，偏置电流 I_bias 在不同负载条件下会发生变化，其中当反激式转换器受到最大负载条件的影响时，偏置电流处于最小值。选择偏置电阻 R_bias，以便在所需最大负载条件下为并联基准提供最小阴极电流 I_KA(min)，从而使该基准在整个负载范围内都能正确偏置。

在这两种拓扑结构中，流入并联基准阴极的电流 I_KA 是流经光耦合器二极管的电流 I_F(drop) 和偏置电流 I_bias 的总和。施加到 REF 引脚的电压决定了并联基准分流到地的阴极电流大小。因此，人们可能认为增大 I_bias 会减小通过光耦合器二极管的电流 I_F(drop)，从而影响反馈环路；但情况并非如此。这是因为，当 REF 电压接近内部基准电压时，并联基准的跨导接近无穷大，如图 2-5 所示。

图 2-5 V_ref 增益比较

图 2-5 显示，如果向并联基准提供了过多的偏置电流，则 REF 电压不需要明显增大，即可将这个额外的电流分流到接地端。它会偏置到接近导通电流。这表明，对并联基准进行过偏置不会对通过光耦合器二极管的反馈电流 I_{FB(secondary)} 产生任何显著影响。