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通过设置 [AUTO_BAL] = 1 来配置自动均衡控制。在自动均衡控制模式下，以奇偶顺序启用 CBFET。

图 4-2 内部 CB 图（非相邻电芯均衡）

图 4-2 显示了电芯均衡电流路径。电芯均衡电流 (I_CB) 取决于电芯电压 (V_CELL) 和均衡路径的电阻 (2 × R_CB + R_DS(ON))。公式如方程式 2 所示。R_CB 是串联电阻。R_DS(ON) 是内部 FET 导通时的电阻。路径的总电阻越高，流经的电芯均衡电流就越低。

为了获得目标电芯均衡电流，可通过以下两个步骤选择 R_CB。

步骤 1：选择 R_CB 值

考虑最高 R_DS(ON) 和最高工作温度下的期望电芯均衡电流，使用方程式 3 中的公式来计算 R_CB 值。

步骤 2：计算 R_CB 额定功率

R_CB 的额定功率可通过在最小 R_DS(ON) 下的最高电芯均衡电流计算得出。图 4-3 中显示了一个示例计算，说明如何选择 R_CB 值和额定功率来获得所需的电芯均衡电流。

方程式 2.

I_{C B =} \frac{V_{C E L L}}{R_{D S (O N)} + 2 \times R_{C B}}

方程式 3.

R_{C B =} \frac{1}{2} (\frac{V_{B A T}}{I_{C B}} - R_{D S (O N)})

图 4-3 电芯均衡电阻器示例计算

被动均衡会向裸片散热，从而随着均衡电流的增加而提高裸片温度。请参阅 BQ79616-Q1 数据表，了解根据环境温度建议的最大均衡电流。