以下引脚的旁路电容器（尤其是 REFHP 电容器）应尽可能靠近器件引脚放置，以确保获得良好性能。为了帮助提高降额性能和发射性能，我们还建议为每个旁路 LDO 电容器并联一个容值范围为 10% 至 22% 的小型电容器。例如，在 CVDD 上，为帮助减少发射，我们建议将 22nF 和 100nF 电容器与 4.7μF 去耦电容器并联。为了获得更好的效果，这些电容器需要放置在非常靠近布局中 IC 引脚的位置。

• REFHP、BAT、LDOIN、AVDD、DVDD、CVDD、TSREF、NEG5V