米6体育平台手机版

ZHCAD97 October 2023 AMC23C11 , UCC23513

为了防止在 IGBT 导通事件时出现误触发，必须监测 DESAT 的消隐时间 t_BLANK。电容器 C14 和电阻器 R10 至 R14 会使 V_CE 检测信号延迟到达隔离式比较器的输入 VCIN。通过 C14 的充电时间以及分压器 R13 和 R14 的等效电阻 R_EQ 来控制延迟：

方程式 6.

R_{E Q} \approx R 13 / / R 14 = 3 k Ω / / 15 k Ω = 2.5 k Ω

选择 330pF 的 C14，则 RC 滤波器的时间常数为：

方程式 7.

T_{a u} = R_{E Q} \times C 14 = 2.5 k Ω \times 330 p F = 0.82 μ s

实际消隐时间取决于在过流事件中配置的 V_CE(DESAT) 稳态阈值与 IGBT 的实际 V_CE(SAT) 电压的比率，可根据方程式 8 计算其近似值。

方程式 8.

t_{B L A) N K} = - \ln (1 - \frac{V_{C E (D E S A T)}}{V_{C E (S A T)}}) \times R_{E Q} \times C 14

因此，重要的是根据系统中使用的各个 IGBT 来调整稳态 V_CE(DESAT) 阈值和消隐时间常数。请参阅下表，了解在 V_CE(DESAT) 稳态阈值默认设置为 8V 时的部分消隐时间值：

表 3-2 默认 V_CE(DESAT) 设置下的有效消隐时间

IGBT V_CE(SAT) [V]	≥ 14.5	12.5	11	10	9	8.5
t_BLANK [μS]	0.7	0.9	1.1	1.4	1.9	2.4

警告：由于有效消隐时间会明显大于已配置的消隐时间常数，因此应避免在过流条件下将稳态阈值 V_CE(DESAT) 配置得太接近 IGBT 的实际 V_CE(SAT)。