图 3-2 显示了使用 15V 单极电源来驱动 IGBT 的设计原理图。通过一些微小的更改，此设计可以适用于功率 MOSFET 驱动或双极电源应用的 12V 电源设计。有关更多详细信息，请参阅参考设计 TIDA-00448。

电阻器 R9 至 R14 和高压二极管 D1 用于检测导通期间 IGBT 的实际 V_CE，并根据隔离式比较器 AMC23C11 的基准电压 VREF 对其进行调整。R10 和 R11 并联来分散功率损耗。

与 R14 并联的电容器 C14 会设置消隐时间，以避免 IGBT 导通期间出现误触发。添加了 5.1V 齐纳二极管 D2 选项，用于抑制可能因 IGBT 开关而引起的高压尖峰。请注意，D2 的内部电容将与 C14 并联，并影响消隐时间。在我们的测试中，我们没有组装此 D2。建议使用具有低内部电容的快速开关二极管 D1，以避免误触发 DESAT 并尽可能缩短所需的消隐时间。

低压侧使用 3.3V 电源来直接连接 C2000^TM 和 Sitara MCU 等常用 MCU 的 I/O 电平。在 LATCH 未激活的情况下，R6 和 C11 为比较器的输出设置抗尖峰脉冲延迟（默认值为 0.2μs）。