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ZHCADB2 November 2023 MSPM0C1104 , MSPM0G3507 , MSPM0L1306

3.2.3 嵌入式 SRAM

MSPM0 和 RL78 系列 MCU 具有用于存储应用程序数据的 SRAM。

表 3-4 SRAM 功能比较

特性	RL78	MSPM0
SRAM 存储器⁽¹⁾	RL78Gxx 范围 0.1KB 至 48KB RL78Lxx 范围 1KB 至 16KB RL78Ixx、RL78Hxx 范围 0.7KB 至 32KB RL78Fxx 范围 0.5KB 至 32KB	MSPM0Gxx 16KB 至 32KB MSPM0Lxx 2KB 至 4KB MSPM0Cxx 1KB
奇偶效验检查	支持	MSPM0Gxx：支持 MSPM0Lxx：支持 MSPM0Cxx：不支持
ECC	支持（RL78F13、F14、F15、F23、F24）	MSPM0Gxx：支持 MSPM0Lxx：支持 MSPM0Cxx：不支持
写保护（RAM 防护）	是	是

(1) RL78 SRAM 中有一个特定区域用于通用寄存器。

MSPM0 MCU 包含低功耗高性能 SRAM，可在器件支持的 CPU 频率范围内实现零等待状态访问。除代码之外，SRAM 还可用于存储信息，例如调用栈、堆和全局数据。SRAM 内容在运行、睡眠、停止和待机工作模式下完全保留，但在关断模式下会丢失。提供了一种写保护机制，允许应用程序以 1 KB 的分辨率对低 32 KB SRAM 进行动态写保护。在 SRAM 小于 32 KB 的器件上，器件为整个 SRAM 提供了写保护。在将可执行代码放入 SRAM 时写保护很有用，因为写保护可以在一定程度上防止 CPU 或 DMA 意外覆盖代码。将代码放置在 SRAM 中可以通过实现零等待状态操作和降低功耗来提高关键循环的性能。