ZHCADD2 November   2023 LM5113-Q1 , LMG1205 , LMG1210

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 引言
  5. 自举过充
  6. 自举过充建模
  7. 更改自举元件
  8. 齐纳二极管法
  9. 肖特基二极管法
  10. 过压钳位方法
  11. 有源开关方法
  12. 同步 GaN 自举方法
  13. 10防止自举过充的其他方法
    1. 10.1 缩短死区时间
    2. 10.2 选择辅助电源
    3. 10.3 调整栅极电压
  14. 11总结
  15. 12参考文献

总结

自举过充是 GaN 半桥电路和其他电源开关中的一个重大问题。GaN 半桥电路具有更高的负电压,并且更容易受到栅极电压细微变化的影响,因此特别容易受到自举过充问题的影响。许多栅极驱动器 IC 在栅极驱动器中提供高效的集成选项,并提供多种方法来解决分立式元件的过充问题。