负栅极电压在许多大功率系统中很常见，可提高 FET 对误导通的抗扰度。负栅极电压会在关断状态电压和 FET 的阈值电压之间产生更大的裕度。该电压裕度使 FET 能够在不引起击穿的情况下耐受更多的米勒电流注入。负栅极电压普遍用于 IGBT 和 SiC FET；许多 SiCFET 数据表都将负栅极偏置列为一项要求。

GaN FET 不需要负栅极偏置，但使用负栅极偏置具有与 SiCFET 相同的优势。负栅极电压的缺点是，它会在死区时间内增加负电压，从而增加过度充电和损耗。使用米勒钳位等方法而非负偏置，可以提高米勒抗扰度，而不会出现过度充电问题。