EEPROM_Read() 函数的功能是读取最近写入的数据并将其存储到临时缓冲区。此函数可用于调试目的，或者在运行时读取存储的数据。页面模式与 64 位模式的行为有所不同。通常，最近写入的数据（页面或 64 位）存储在 Read_Buffer 中。

页面模式：首先，该函数通过检查 Empty_EEPROM 标志来验证数据是否已写入 EEPROM。如果在写入任何数据之前尝试读取数据，则读入缓冲区的值无效并抛出错误。如果数据已写入，则找到当前的 EEPROM 组和页面，然后填充读缓冲区。

uint16 i;

// Check for empty EEPROM
if (Empty_EEPROM)
{
    Sample_Error(); // Attempting to read data that hasn't been written
} else
{
    // Find Current Bank and Current Page
    EEPROM_GetValidBank(1);

    // Increment page pointer to point at first data word
    Page_Pointer += 8;

    // Transfer contents of Current Page to Read Buffer
    for(i=0;i<DATA_SIZE;i++)
    {
        Read_Buffer[i] = *(Page_Pointer++);
    }
    }

64 位模式：首先，该函数通过检查 Empty_EEPROM 标志来验证数据是否已写入 EEPROM。如果在写入任何数据之前尝试读取数据，则读入缓冲区的值无效并抛出错误。如果数据已写入，则指针向后移动四个地址（共 64 位），读取缓冲区被数据填满。

uint16 i;

// Check for empty EEPROM
if (Empty_EEPROM)
{
    Sample_Error(); // Attempting to read data that hasn't been written
} else
{
    // Move the bank pointer backwards to read data
    Bank_Pointer -= 4;

    // Transfer contents of Current Page to Read Buffer
    for(i=0;i<4;i++)
    {
        Read_Buffer[i] = *(Bank_Pointer++);
    }
}