EEPROM_Program_64_Bits() 函数提供将四个 16 位字编程到存储器中的功能。第一个参数 Num_Words 允许用户指定将写入多少个有效字。数据字应分配给 Write_Buffer 的前 4 个位置，以供 Fapi_issueProgrammingCommand 函数使用。如果函数调用中指定的字少于四个，则缺少的字将用 0xFFFF 填充。这样做是为了符合 ECC 要求。

首先，测试是否存在已满的 EEPROM 单元。

EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address();

接下来，如果指定的字数少于 4，则写入缓冲区中将填充 1。

int i;
for(i = Num_Words; i < 4; i++)
{
    Write_Buffer[i] = 0xFFFF;
}

接下来，对数据进行编程，并且指针递增到对数据进行编程的下一个位置。

// Clears status of previous Flash operation
ClearFSMStatus();

Fapi_setupBankSectorEnable(FLASH_WRAPPER_PROGRAM_BASE+FLASH_O_CMDWEPROTA, WE_Protection_A_Mask);
Fapi_setupBankSectorEnable(FLASH_WRAPPER_PROGRAM_BASE+FLASH_O_CMDWEPROTB, WE_Protection_B_Mask);

oReturnCheck = Fapi_issueProgrammingCommand((uint32*) Bank_Pointer,
                                                Write_Buffer, 4, 0, 0,
                                                Fapi_AutoEccGeneration);

// Wait for completion and check for any programming errors
EEPROM_CheckStatus(&oReturnCheck);

// Increment to next location
Bank_Pointer += 4;

编程完成后，将检查 Erase_Inactive_Unit 标志。如果设置，则非活动单元将被擦除，执行空白检查，并且写入/擦除保护掩码将被重新配置。

if (Erase_Inactive_Unit) {

    // Erase inactive unit
    Erase_Blank_Check = 1;
    EEPROM_Erase();
    Erase_Inactive_Unit = 0;

    uint64 WE_Protection_AB_Mask = Configure_Protection_Masks(
                                       FIRST_AND_LAST_SECTOR[EEPROM_ACTIVE_UNIT],
                                           NUM_EEPROM_SECTORS);


    WE_Protection_A_Mask = 0xFFFFFFFF ^ (uint32)WE_Protection_AB_Mask;
    WE_Protection_B_Mask = 0x00000FFF ^ WE_Protection_AB_Mask >> 32;
}