8 适配其他第 3 代 C2000 MCU

如本文档前面所述，本指南使用 F28P65x 来演示 EEPROM 仿真功能。不过，该工程可以通过对宏和函数定义进行少量更改来适应其他第 3 代 C2000 MCU。为了说明这一点，本节讨论使用 F280013x 所需的更改。

首先，应该指出的是，F280013x 只有一个闪存组，而某些 F28P65x 器件中有五个闪存组。因此，应使用 CPU1_RAM 构建配置而不是 CPU1_FLASH 构建配置。这是必要的，因为闪存 API 无法在包含它的同一闪存组上执行。

此外，EEPROM_Config.h 文件中包含的默认配置使用特定于器件的值来创建定义和宏。这些值应更新为 TMS320F280013x 实时微控制器数据表 中的值。对于 F280013x，这些值恰好与 F28P65x 的默认配置相同，但应始终使用特定于器件的数据表来验证这些值。

#define FLASH_BANK_SELECT 0x80000


#define FLASH_SECTOR_SIZE 0x400


#define NUM_FLASH_SECTORS 128

这些值对于 EEPROM_Config_Check 中的错误检查以及定义 EEPROM 仿真的起始/结束地址非常重要。

最后，使用 F280013x 时需要修改 EEPROM_Config_Check() 函数。默认情况下，闪存组 0 被保留用于存储闪存 API，如果选择此闪存组进行 EEPROM 仿真，该函数将抛出错误。然而，由于选择了 CPU_1_RAM 构建配置，闪存组 0 现在可用于 EEPROM 仿真。因此，应该在函数中删除或注释掉这些行。

if (FLASH_BANK_SELECT == FlashBank0StartAddress)
{
    return 0xFFFF;
}

使用 F280013x 所需的更改相对简单，而使用其他第 3 代 C2000 MCU 可能需要更多更改。有关可用工程的列表、请参阅故障排除章节。