ZHCADD5A November 2023 – April 2024 TMS320F28P650DH , TMS320F28P650DK , TMS320F28P650SH , TMS320F28P650SK , TMS320F28P659DH-Q1 , TMS320F28P659DK-Q1 , TMS320F28P659SH-Q1
- 1
- 摘要
- 商标
- 1 简介
- 2 EEPROM 与片上闪存的区别
- 3 概述
- 4 软件说明
-
5 乒乓仿真
- 5.1 用户配置
- 5.2
EEPROM 函数
- 5.2.1 EEPROM_Config_Check
- 5.2.2 Configure_Protection_Masks
- 5.2.3 EEPROM_Write
- 5.2.4 EEPROM_Read
- 5.2.5 EEPROM_Erase
- 5.2.6 EEPROM_GetValidBank
- 5.2.7 EEPROM_UpdateBankStatus
- 5.2.8 EEPROM_UpdatePageStatus
- 5.2.9 EEPROM_UpdatePageData
- 5.2.10 EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
- 5.2.11 EEPROM_Program_64_Bits
- 5.2.12 EEPROM_CheckStatus
- 5.2.13 ClearFSMStatus
- 5.3 测试示例
-
6 单存储单元仿真
- 6.1 用户配置
- 6.2
EEPROM 函数
- 6.2.1 EEPROM_Config_Check
- 6.2.2 Configure_Protection_Masks
- 6.2.3 EEPROM_Write
- 6.2.4 EEPROM_Read
- 6.2.5 EEPROM_Erase
- 6.2.6 EEPROM_GetValidBank
- 6.2.7 EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
- 6.2.8 EEPROM_UpdateBankStatus
- 6.2.9 EEPROM_UpdatePageStatus
- 6.2.10 EEPROM_UpdatePageData
- 6.2.11 EEPROM_Get_64_Bit_Data_Address
- 6.2.12 EEPROM_Program_64_Bits
- 6.2.13 EEPROM_CheckStatus
- 6.2.14 ClearFSMStatus
- 6.3 测试示例
- 7 应用集成
- 8 适配其他第 3 代 C2000 MCU
- 9 闪存 API
- 10源文件清单
- 11故障排除
- 12结语
- 13参考资料
- 14修订历史记录
3.4 创建 EEPROM 节（页）和页标识
为了支持具有不同数据大小（64 位除外）的 EEPROM 仿真，选择用于仿真的闪存扇区被分为称为 EEPROM 组（不要与闪存组相混淆）和页面的格式。首先，闪存扇区（或选定的闪存扇区集）被分为 EEPROM 组。每个 EEPROM 组又被进一步分成页面。组分区展示了该分区。EEPROM 组和页面的分区对于单存储单元和乒乓仿真是相同的。
使用该格式，应用能够：
- 从在之前保存期间写入的页面中读回数据
- 将最新数据写入新页面
- 在应用需要时，从之前存储的任何数据读取
图 3-3 组分区每个 EEPROM 组的前 8 个 16 位字保留用于存储 EEPROM 组状态信息，每个页面的前 8 个字保留用于存储页面状态信息。每次向页写入一组新的数据时，都会修改最后一页和下一页的状态位置。使用新 EEPROM 组时，最后一个和当前 EEPROM 组的组状态将被更新。EEPROM 组和页面状态字以相同的方式区分当前 EEPROM 组/页面和已使用的 EEPROM 组/页面。要将 EEPROM 组或页面标记为当前组或页面，可以向前 64 位写入适当的状态代码。要将 EEPROM 组或页面标记为已满组或页面，可以向后 64 位写入适当的状态代码。有关状态代码的更多详细信息，请参阅 EEPROM_GetValidBank。
如页面布局中所示，所有页面都包含八字页面状态和可配置的数据空间量。第 0 页略有不同，因为该页面还包含 EEPROM 组状态。仅显示了第 0 页和第 1 页，但应注意第 2 页至第 (N-1) 页与第 1 页相同。
图 3-4 页布局