如果使用乒乓方法，下图展示了实现的行为。如图 3-2 所示，有两个由选定的闪存扇区组成的 EEPROM 单元。一个被标记为活动单元，另一个被标记为非活动单元。首先，数据被写入活动单元。

图 3-2 乒乓行为

如果活动单元已满并且有更多数据要写入，则活动和非活动 EEPROM 单元将切换。因此，之前的活动单元（已满单元）将被标记为非活动，之前的非活动单元（空单元）将被标记为活动。随后，数据将被写入新的活动 EEPROM 单元。数据成功编程到活动 EEPROM 单元后，非活动 EEPROM 单元被擦除。该方法可确保当当前活动的 EEPROM 单元已满时，在擦除或编程操作期间发生任何失败时，最后成功写入的数据有一个回退选项。

可以根据需要重复该过程。