EEPROM_UpdatePageData() 函数的功能是更新 EEPROM 页数据。此函数由 EEPROM_Write() 函数调用。

为了实现这一目标，需要采取以下步骤：

1. 清除闪存状态机 (FSM) 状态。
2. 配置闪存扇区的编程/擦除保护。
   • EEPROM 仿真中未使用的扇区将启用保护。
   • EEPROM 仿真中已使用的扇区将禁用保护。
3. 计算相对于页面指针的偏移量以写入数据。
   1. 这是必需的，因为一次仅写入 64 位。因此，如果数据大小大于 64 位，则需要多次调用闪存 API 才能写入整个页面。
4. 等待编程完成并检查是否存在任何编程错误。

   // Clears status of previous Flash operation
   ClearFSMStatus();
   
   Fapi_setupBankSectorEnable(FLASH_WRAPPER_PROGRAM_BASE+FLASH_O_CMDWEPROTA, WE_Protection_A_Mask);
   Fapi_setupBankSectorEnable(FLASH_WRAPPER_PROGRAM_BASE+FLASH_O_CMDWEPROTB, WE_Protection_B_Mask);
   
   // Variable for page offset 
   // (first write position has offset of 2 (64 bits),
   // second has offset of 4 (128 bits), etc.)
   uint32 Page_Offset = 4 + (2 * i);
   
   // Program data located in Write_Buffer to current page
   oReturnCheck = Fapi_issueProgrammingCommand((uint32*) Page_Pointer + Page_Offset, Write_Buffer + (i*4), 4, 0, 0, Fapi_AutoEccGeneration);
   
   // Wait for completion and check for any programming errors
   EEPROM_CheckStatus(&oReturnCheck);

以下参数被传递至闪存 API 以进行编程。

• 页面指针（编程地址）
• 包含待写入数据的缓冲区
• 要编程的数据长度
• 编程模式

使用 Fapi_AutoEccGeneration 模式时，第四个和第五个参数为零。有关更多详细信息，请参阅 TMS320F28P65x 闪存 API 版本 3.02.00.00 参考指南。

如果编程成功，则会更新当前页面的页面状态并清除 Empty_EEPROM 标志。代码如下所示：

if(oReturnCheck == Fapi_Status_Success) { // Set Page Status to Current Page Page_Status[0] = CURRENT_PAGE; Page_Status[1] = CURRENT_PAGE; Page_Status[2] = CURRENT_PAGE; Page_Status[3] = CURRENT_PAGE; Fapi_setupBankSectorEnable( FLASH_WRAPPER_PROGRAM_BASE+FLASH_O_CMDWEPROTA, WE_Protection_A_Mask); Fapi_setupBankSectorEnable( FLASH_WRAPPER_PROGRAM_BASE+FLASH_O_CMDWEPROTB, WE_Protection_B_Mask); oReturnCheck = Fapi_issueProgrammingCommand((uint32*)Page_Pointer, Page_Status, 4, 0, 0, Fapi_AutoEccGeneration); // Wait for completion and check for any programming errors EEPROM_CheckStatus(&oReturnCheck); Empty_EEPROM = 0; }

成功写入后，该函数会检查是否需要擦除非活动 EEPROM 单元。如果需要，则该函数调用 EEPROM_Erase，清除标志并重新配置 W/E 保护掩码。在调用擦除之前发出用于设置空白检查的标志。擦除非活动单元的标志在 EEPROM_GetValid_Bank 中设置。

if (Erase_Inactive_Unit)
{
    // Erase the inactive (full) EEPROM Bank
    Erase_Blank_Check = 1;
    EEPROM_Erase();
    Erase_Inactive_Unit = 0;

    // Re-configure Write/Erase Protection Masks for active EEPROM Bank
    uint64 WE_Protection_AB_Mask = Configure_Protection_Masks(
          FIRST_AND_LAST_SECTOR[EEPROM_ACTIVE_UNIT], NUM_EEPROM_SECTORS);


    WE_Protection_A_Mask = 0xFFFFFFFF ^ (uint32)WE_Protection_AB_Mask;
    WE_Protection_B_Mask = 0x00000FFF ^ WE_Protection_AB_Mask >> 32;
}