ZHCADH3 December   2023 MSPM0C1103 , MSPM0C1103-Q1 , MSPM0C1104 , MSPM0C1104-Q1 , MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G1519 , MSPM0G3105 , MSPM0G3105-Q1 , MSPM0G3106 , MSPM0G3106-Q1 , MSPM0G3107 , MSPM0G3107-Q1 , MSPM0G3505 , MSPM0G3505-Q1 , MSPM0G3506 , MSPM0G3506-Q1 , MSPM0G3507 , MSPM0G3507-Q1 , MSPM0G3519 , MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1117 , MSPM0L1227 , MSPM0L1228

 

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  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1MSPM0 米6体育平台手机版_好二三四系列概述
    1. 1.1 引言
    2. 1.2 STM8 MCU 与 MSPM0 MCU 的米6体育平台手机版_好二三四系列比较
  5. 2生态系统和迁移
    1. 2.1 生态系统比较
      1. 2.1.1 MSPM0 软件开发套件 (MSPM0 SDK)
      2. 2.1.2 MSPM0 支持的 IDE
      3. 2.1.3 SysConfig
      4. 2.1.4 调试工具
      5. 2.1.5 LaunchPad
    2. 2.2 迁移过程
      1. 2.2.1 步骤 1.选择合适的 MSPM0 MCU
      2. 2.2.2 步骤 2.设置 IDE 和 CCS 简介
        1. 2.2.2.1 设置 IDE
        2. 2.2.2.2 CCS 简介
      3. 2.2.3 步骤 3.设置 MSPM0 SDK 和 MSPM0 SDK 简介
        1. 2.2.3.1 设置 MSPM0 SDK
        2. 2.2.3.2 SDK 简介
      4. 2.2.4 步骤 4.软件评估
      5. 2.2.5 步骤 5.PCB 板设计
      6. 2.2.6 步骤 6.大规模生产
    3. 2.3 示例
  6. 3内核架构比较
    1. 3.1 CPU
    2. 3.2 嵌入式存储器比较
      1. 3.2.1 闪存和 EEPROM 特性
      2. 3.2.2 闪存和 EEPROM 组织
        1. 3.2.2.1 闪存和 EEPROM 区域
        2. 3.2.2.2 MSPM0 的 NONMAIN 存储器
      3. 3.2.3 嵌入式 SRAM
    3. 3.3 上电和复位总结和比较
    4. 3.4 时钟总结和比较
      1. 3.4.1 振荡器
      2. 3.4.2 时钟信号比较
    5. 3.5 MSPM0 工作模式总结和比较
      1. 3.5.1 工作模式比较
      2. 3.5.2 低功耗模式下的 MSPM0 功能
      3. 3.5.3 进入低功耗模式
      4. 3.5.4 低功耗模式代码示例
    6. 3.6 中断和事件比较
      1. 3.6.1 中断和异常
        1. 3.6.1.1 MSPM0 的中断管理
        2. 3.6.1.2 STM8 的中断控制器 (ITC)
      2. 3.6.2 MSPM0 的事件处理程序
      3. 3.6.3 事件管理比较
    7. 3.7 调试和编程比较
      1. 3.7.1 调试模式比较
      2. 3.7.2 编程模式比较
        1. 3.7.2.1 引导加载程序 (BSL) 编程选项
  7. 4数字外设比较
    1. 4.1 通用 I/O（GPIO、IOMUX）
    2. 4.2 通用异步接收器/发送器 (UART)
    3. 4.3 串行外设接口 (SPI)
    4. 4.4 内部集成电路接口 (I2C)
    5. 4.5 计时器（TIMGx、TIMAx）
    6. 4.6 窗口化看门狗计时器 (WWDT)
  8. 5模拟外设比较
    1. 5.1 模数转换器 (ADC)
    2. 5.2 比较器 (COMP)
    3. 5.3 电压基准 (VREF)

3.2.3 嵌入式 SRAM

MSPM0 和 STM8 系列 MCU 具有用于存储应用数据的 SRAM。表 3-4 显示了 SRAM 特性的比较。相关详细信息，请参阅器件特定数据表。

表 3-4 SRAM 功能比较
特性 STM8L 和 STM8S MSPM0L 和 MSPM0C
SRAM 存储器 STM8L 超值系列：1KB 至 4KB
STM8L101：1.5KB
STM8Sxx：1 KB 至 6 KB		 MSPM0Lxx：2KB 至 4KB
MSPM0Cxx：1KB
奇偶效验检查 不支持 MSPM0Lxx：支持
MSPM0Cxx：不支持
ECC 不支持 MSPM0Lxx：支持
MSPM0Cxx：不支持
写保护（RAM 防护） 不支持 支持

MSPM0 MCU 包含低功耗高性能 SRAM，可在器件支持的 CPU 频率范围内实现零等待状态访问。除代码之外，SRAM 还可用于存储信息，例如调用栈、堆和全局数据。SRAM 内容在运行、睡眠、停止和待机工作模式下完全保留，但在关断模式下会丢失。提供了一种写保护机制，允许应用程序以 1 KB 的分辨率对低 32 KB SRAM 进行动态写保护。在 SRAM 小于 32 KB 的器件上，器件为整个 SRAM 提供了写保护。在将可执行代码放入 SRAM 时写保护很有用，因为写保护可以在一定程度上防止 CPU 或 DMA 意外覆盖代码。将代码放置在 SRAM 中可以通过实现零等待状态操作和降低功耗来提高关键循环的性能。
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