ZHCADH3 December 2023 MSPM0C1103 , MSPM0C1103-Q1 , MSPM0C1104 , MSPM0C1104-Q1 , MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G1519 , MSPM0G3105 , MSPM0G3105-Q1 , MSPM0G3106 , MSPM0G3106-Q1 , MSPM0G3107 , MSPM0G3107-Q1 , MSPM0G3505 , MSPM0G3505-Q1 , MSPM0G3506 , MSPM0G3506-Q1 , MSPM0G3507 , MSPM0G3507-Q1 , MSPM0G3519 , MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1117 , MSPM0L1227 , MSPM0L1228
MSPM0 和 STM8 系列 MCU 具有非易失性闪存,EEPROM 存储器用于存储可执行程序代码和应用数据。表 3-2 显示了闪存和 EEPROM 的特性。请注意,并非所有器件都具有所有功能。相关详细信息,请参阅器件特定数据表。
特性 | STM8L 和 STM8S | MSPM0L 和 MSPM0C | ||
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闪存 | STM8Lxx 范围 2KB 至 64KB STM8Sxx 范围 4KB 至 128KB |
MSPM0Lxx 范围 8KB 至 64KB MSPM0Cxx 8KB 或 16KB |
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EEPROM | 高达 2 KB | 使用闪存的 EEPROM 仿真 | ||
存储器组织 | 块大小 (64B/128B) 页大小(一组块) |
字线 (128B) 扇区大小 (1KB) 存储体大小(可变):器件高达 256KB-1bank |
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等待状态 | 0 (fCPU < 16MHz) 1 (fCPU > 16MHz) |
0(MCLK、CPUCLK < 24MHz) 1(MCLK、CPUCLK < 48MHz) |
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单字大小 | 32 位 | 64 位(使用 ECC 时为 72 位) | ||
编程模式 | 字节,单闪存字,块 | 分辨率 | 单闪存字、32 位、16 位或 8 位 | |
多字 | 2、4 或 8 个字(最多 64 个字节) | |||
擦除 | 块擦除 | 扇区擦除 存储体擦除(最大 256KB) |
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错误码纠正 |
支持 | 支持 | ||
写保护 | 是 | 是,静态和动态 | ||
读保护 | 是 | 是 | ||
擦除/写入周期 | 程序存储器 | 100 | 100K(下部 32 KB)或 10k(上部 32 KB) | |
数据存储器 | 100k |
除了上表中列出的闪存功能外,MSPM0 闪存还具有以下功能:
在整个电源电压范围内支持电路内编程和擦除操作。