ZHCADH3 December   2023 MSPM0C1103 , MSPM0C1103-Q1 , MSPM0C1104 , MSPM0C1104-Q1 , MSPM0G1105 , MSPM0G1106 , MSPM0G1107 , MSPM0G1505 , MSPM0G1506 , MSPM0G1507 , MSPM0G1519 , MSPM0G3105 , MSPM0G3105-Q1 , MSPM0G3106 , MSPM0G3106-Q1 , MSPM0G3107 , MSPM0G3107-Q1 , MSPM0G3505 , MSPM0G3505-Q1 , MSPM0G3506 , MSPM0G3506-Q1 , MSPM0G3507 , MSPM0G3507-Q1 , MSPM0G3519 , MSPM0L1105 , MSPM0L1106 , MSPM0L1117 , MSPM0L1227 , MSPM0L1228

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1MSPM0 米6体育平台手机版_好二三四系列概述
    1. 1.1 引言
    2. 1.2 STM8 MCU 与 MSPM0 MCU 的米6体育平台手机版_好二三四系列比较
  5. 2生态系统和迁移
    1. 2.1 生态系统比较
      1. 2.1.1 MSPM0 软件开发套件 (MSPM0 SDK)
      2. 2.1.2 MSPM0 支持的 IDE
      3. 2.1.3 SysConfig
      4. 2.1.4 调试工具
      5. 2.1.5 LaunchPad
    2. 2.2 迁移过程
      1. 2.2.1 步骤 1.选择合适的 MSPM0 MCU
      2. 2.2.2 步骤 2.设置 IDE 和 CCS 简介
        1. 2.2.2.1 设置 IDE
        2. 2.2.2.2 CCS 简介
      3. 2.2.3 步骤 3.设置 MSPM0 SDK 和 MSPM0 SDK 简介
        1. 2.2.3.1 设置 MSPM0 SDK
        2. 2.2.3.2 SDK 简介
      4. 2.2.4 步骤 4.软件评估
      5. 2.2.5 步骤 5.PCB 板设计
      6. 2.2.6 步骤 6.大规模生产
    3. 2.3 示例
  6. 3内核架构比较
    1. 3.1 CPU
    2. 3.2 嵌入式存储器比较
      1. 3.2.1 闪存和 EEPROM 特性
      2. 3.2.2 闪存和 EEPROM 组织
        1. 3.2.2.1 闪存和 EEPROM 区域
        2. 3.2.2.2 MSPM0 的 NONMAIN 存储器
      3. 3.2.3 嵌入式 SRAM
    3. 3.3 上电和复位总结和比较
    4. 3.4 时钟总结和比较
      1. 3.4.1 振荡器
      2. 3.4.2 时钟信号比较
    5. 3.5 MSPM0 工作模式总结和比较
      1. 3.5.1 工作模式比较
      2. 3.5.2 低功耗模式下的 MSPM0 功能
      3. 3.5.3 进入低功耗模式
      4. 3.5.4 低功耗模式代码示例
    6. 3.6 中断和事件比较
      1. 3.6.1 中断和异常
        1. 3.6.1.1 MSPM0 的中断管理
        2. 3.6.1.2 STM8 的中断控制器 (ITC)
      2. 3.6.2 MSPM0 的事件处理程序
      3. 3.6.3 事件管理比较
    7. 3.7 调试和编程比较
      1. 3.7.1 调试模式比较
      2. 3.7.2 编程模式比较
        1. 3.7.2.1 引导加载程序 (BSL) 编程选项
  7. 4数字外设比较
    1. 4.1 通用 I/O（GPIO、IOMUX）
    2. 4.2 通用异步接收器/发送器 (UART)
    3. 4.3 串行外设接口 (SPI)
    4. 4.4 内部集成电路接口 (I2C)
    5. 4.5 计时器（TIMGx、TIMAx）
    6. 4.6 窗口化看门狗计时器 (WWDT)
  8. 5模拟外设比较
    1. 5.1 模数转换器 (ADC)
    2. 5.2 比较器 (COMP)
    3. 5.3 电压基准 (VREF)

3.2.2.1 闪存和 EEPROM 区域

表 3-3 显示了 STM8 器件和 MSPM0 器件的闪存和 EEPROM 区域。

表 3-3 闪存和 EEPROM 区域
STM8L 和 STM8S MSPM0L 和 MSPM0C
主程序区域 应用代码。 MAIN 应用代码和数据。
选项字节 器件硬件特性和存储器保护的配置。 NONMAIN BCR 配置。
专有代码区域(PCODE)(1) 保护用于驱动外设的专有软件库。
BSL 配置。
用户引导区域(UBC)(2) 复位和中断向量。
FACTORY 器件 ID 和其他参数。
数据 EEPROM 应用数据。 DATA(3) 数据或 EEPROM 仿真。
(1) PCODE 仅在低、中+ 和高密度器件中可用。
(2) STM8Sx03xx、STM8S001xx、STM8L101xx 和 STM8L001xx 没有嵌入式引导加载程序（微控制器内部未实现 ROM 引导加载程序）。使用这些器件时，用户必须编写自己的引导加载程序代码并将自己的引导加载程序保存在 UBC 程序区域。
(3) 具有一个存储体的 MSPM0 器件在 BANK0（唯一存在的存储体）上实现 FACTORY、NONMAIN 和 MAIN 区域，并且 DATA 区域不可用。具有多个存储体的 MSPM0 器件也在 BANK0 上实现 FACTORY、NONMAIN 和 MAIN 区域，但包括可实现 MAIN 或 DATA 区域的其他存储体（BANK1 至 BANK4）。
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