对于需要更高电池平衡电流的应用，通常使用外部 FET。使用外部 FET 时，可以将电芯输入电阻器增大至最大建议值 1kΩ。增加电阻器大小将有助于在 FET 的栅极上提供足够的电压。在图 2-3 中，当内部 FET 在器件内部导通时，流经 R_n-1 的电流为外部 FET 提供 V_GS 的电压。

图 2-3 采用外部 N 沟道 FET 的平衡电路

必须小心选择具有在低 V_GS 下定义的低 R_DSON 的外部 FET。例如，假设最小电芯平衡电压为 3.9V。外部 FET 可以具有在 3.9V x 100 / (100 + 100 + 80) = 1.39V 或更低的电压下定义的 R_DSON。

需要使用一个齐纳二极管来保护外部 FET 栅极免受电池组瞬态的影响。例如，如果一个 7 节电池组发生短路，则在发生短路期间，电池 7 的 R_n 两端将具有大约 28V 的电压，而在短路解除时会发生相反的瞬态。可以通过一个电阻器来连接栅极电压，从而限制二极管导通时的电流。（在正常操作期间，齐纳二极管将不会导通）。

对于图 2-3，电路设计采用了 100Ω 的 R_n 和 1kΩ 的 R_gn。R_bal 电阻器设置为 50Ω，从而在 4V 电压下使流经外部 FET 的平衡电流为约 77mA。在该电芯电压下，约 15mA 的额外电流流经器件的内部 FET，从而使总平衡电流接近 92mA。选择了一个具有为低 V_GS（低至 1.4V）定义的 R_DSON 的 N 沟道 MOSFET。

图 2-4 采用 N 沟道 FET 的 BQ76907 电芯平衡，电芯 7 (VC7) Rbal_voltage 大约 = 3.86V