ZHCADO1 January   2024 BQ25672 , BQ25790 , BQ25792 , BQ25798

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2IRMS 放电电流
  6. 3外部电池 FET
  7. 4具有 PG 和/或主机 GPIO 的充电器
  8. 5仅降压充电器
  9. 6升压充电器
  10. 7总结
  11. 8参考资料

升压充电器

如果充电器仅升压或既升压又降压,则需要一个额外的 IC,以在移除输入电源后将外部 PFET 的栅极驱动为低电平。比较器确定输入电压何时被移除。比较器需要一个用于负输入的基准来与充电器的输入电压进行比较。该基准不必非常精确,当充电器的输入电压不存在并且不需要提供任何显著电流时,必须存在该基准。只要充电器的最小工作输入电压高于 QON 最大电压 [V(QON)MAX] 3.3V,由输入电压或电池电压中的较高者供电的 QON 就可以用作此基准。一旦输入电压下降到低于 V(QON),比较器就会打开 PFET。TLV1861 是一款具有高达 40V 输入电压(多达 9 节的串联电池包)、440nA 典型静态电流和开漏输出的比较器。

GUID-20231211-SS0I-XTZ0-TMDM-5ZG8V7JGSNB2-low.svg图 6-1 升压充电器的实现

仅当电池电压高于 PFET 的最大 VGS 时,才需要从 PFET 源极到栅极的齐纳二极管钳位 D1。