设计过程

设计目标

设计说明

LVDS GaN 驱动器发送器电路

对于此应用，在驱动激光二极管时产生尽可能窄的脉冲至关重要。对于此设计，GaN FET 的输出能产生 3ns 宽脉冲，用于控制低电阻 1Ω 负载。在长电缆或长布线上使用低压差分信号 (LVDS) 来降低 EMI 是很常见的做法。GaN FET 驱动器接口电路的输入也必须接受 LVDS 输入。为了提供速度并接受 LVDS 输入信号，可以使用 TLV3601 高速比较器。TLV3601 用于将 LVDS 信号转换为单端输出，以驱动 GaN FET 驱动器的输入。此外，还可使用 EPC2019 GaN FET 和 LMG1020 GaN FET 驱动器。设计目标 表中反映了相关设计要求。

设计说明

1. 选择可由 LVDS 信号差分驱动的高速比较器
2. 在仿真中使用低电阻 1Ω 负载来代替 LED
3. TLV3601 和 LMG1020 器件均由 5V 电源 (VSUPPLY) 供电