ZHCADR6 November 2021 TLV3601 , TLV3601-Q1 , TLV3603 , TLV3603-Q1
设计步骤
完整设计电路步骤 1：使用 TLV3604 生成 LVDS
TLV3604 同相输入由 100mV、3ns 脉冲和 2.5V 直流失调电压 (VPULSE) 驱动。
使用 TLV3604 生成 LVDS步骤 2：使用 TLV3601 进行 LVDS 至单端输出的转换
TLV3604 的 LVDS 输出（LVDS_H 和 LVDS_L）用于驱动 TLV3601 的输入。由于 TLV3604 的输出端接有 100Ω 负载，因此该负载上的电压可以差分驱动 TLV3601 的输入。
连接 TLV3601步骤 3：配置 GaN FET 驱动器
LMG1020 使能引脚（TINA 仿真模型中的 INM）处于低电平有效，因此可以接地以保持 LMG1020 启用。输出上的串联电阻遵循 LMG1020 适用于 1ns 脉冲宽度应用的 5V、7A/5A 低侧 GaN 和 MOSFET 驱动器 数据表 典型应用 一节建议的最小值为 2Ω。然后，短路输出驱动 EPC2019 GaN FET (V_GATE) 的栅极。LMG1020 输入由 TLV3601 的输出 (TLV3601_OUT) 驱动。
LMG1020 配置步骤 4：连接 EPC2019 GaN FET
GaN FET 通过 1Ω 负载控制 10V 电源电流。为安全起见，肖特基二极管与负载并联放置，以确保负载两端的电压不超过 20V。
低侧 GaN FET 连接