使用馈入 TLV3604 的“VPULSE”脉冲波形发生器，低于 1Ω 负载电阻的电压被监控为 OUT_BAR。当 GaN FET 的栅极被充分驱动时，漏极处的明显电压约为 0V。下图展示了初始仿真结果。

初始仿真结果

如初始仿真结果所示，脉冲宽度比设计要求 (3.92ns) 宽约 0.6ns。部分原因是 EPC2019 栅极上的串联电阻用于避免感应振铃导致的电压过应力。为了缩短 GaN FET 驱动器和 GaN FET 的关断时间，可将 LMG1020 的 OUTL 输出短接到 EPC2019 的栅极，如 LMG1020 适用于 1ns 脉冲宽度应用的 5V、7A/5A 低侧 GaN 和 MOSFET 驱动器 数据表典型应用 一节所建议。

修改了原理图以改善脉冲宽度

接下来，再次对电路进行仿真，看看减小后的脉冲宽度是否符合设计要求。

移除电阻器后的仿真结果

如移除电阻器后的仿真结果中的仿真结果所示，OUT_BAR 的宽度略超出设计要求，脉冲宽度为 3.37ns。为了进一步改善脉冲宽度，将更窄的 LVDS 脉冲发送到 TLV3601。为此，驱动 TLV3604 非反相输入的发生器脉冲宽度 VPULSE 会减小。发生器脉冲宽度调整为 2.5ns，以确保脉冲宽度符合设计要求。符合设计标准的仿真展示了符合设计要求的 2.70ns 仿真脉冲宽度。

符合设计标准的仿真