成功布局的关键是了解电路，您可以通过确定以下关键元件来了解电路：

• 高 di/dt 路径
• 高 dv/dt 节点
• 敏感布线

图 2-3 展示了 BQ25710 应用示意图中的高 di/dt 路径。最主要的高 di/dt 环路是输入开关电流环路和输出开关电流环路。输入环路由一个输入电容器和两个 MOSFET（Q1 和 Q2）组成，输出环路由一个输出电容器和两个 MOSFET（Q3 和 Q4）以及返回路径组成。

图 2-3 BQ25710 应用示意图 - 确定高 di/dt 环路、高 dv/dt 节点和敏感布线

高 dv/dt 节点是那些具有快速电压转换的节点。这些节点包括开关节点（SW1 和 SW2）、自举节点（BTST1 和 BTST2）以及栅极驱动布线（HIDRV1、LODRV1、HIDRV2 和 LODRV2）。开关节点的面积需要尽可能大，但考虑到电气噪声原因，开关节点面积又需要尽可能小。如果 SW1 和 SW2 覆铜区过大，高 dv/dt 噪声信号可能会通过电容耦合特性耦合到附近的其他布线，从而引起 EMI 问题。

从 R_AC、R_SR 到 IC 引脚（ACP、ACN、SRP 和 SRN）以及补偿元件（COMP1 和 COMP2）的电流检测布线是噪声敏感布线。为了获得良好的布局性能，应优化高 dv/dt 节点的表面积，使噪声敏感布线远离电路的嘈杂（高 di/dt 和 dv/dt）部分，并尽可能减小其环路面积。