摘要

本研究的目的是为了明确重离子辐射对基于 Arm® Cortex®-R 的 TMS570LC4357-SEP 微控制器的单粒子闩锁 (SEL) 性能的影响。研究中使用了 LET_eff 为 48MeV-cm²/mg 的重离子对器件进行辐照，辐照通量为 1 x 10⁷ 个离子/cm²。结果表明，在 125°C 且 LET_eff 最高为 48MeV-cm²/mg 的情况下，TMS570LC4357-SEP 不会出现单粒子闩锁。