ZHCADX2 March   2024 LM76003 , UCC27282 , UCC27288

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2特定应用场景中的设计和潜在风险
  6. 3潜在问题分析
    1. 3.1 高占空比导致自举二极管中产生高电流应力
      1. 3.1.1 模式 1
      2. 3.1.2 模式 2
      3. 3.1.3 模式 3
      4. 3.1.4 模式 4
    2. 3.2 额外电压源的影响
  7. 4设计建议
  8. 5总结
  9. 6参考文献

额外电压源的影响

本章将讨论 HB-HS 引脚中连接的额外电源的影响。

在考虑额外电源的影响时,典型原理图如图 3-9 所示。根据分析,功率级对栅极驱动器的影响可以建模为在 HS 引脚和接地中连接的电源。电源电压值将从 Vd2 变为 VRDSON 再变为 VCC

正常运行过程是,在模式 3 下,由 V2 提供驱动 Q2 的所有电源。在模式 1 下,由 V1 提供导通低侧 FET 的所有电源。因此,现在没有电流流过自举二极管,可以将自举电容器视为滤波电容器。自举二极管中的电流应力为零,因为没有电流流过。

GUID-20240313-SS0I-V8SX-BX38-RTBXHPDFKLNK-low.svg图 3-9 连接 V2 时的原理图

在大多数设计中,我们通常让 V1 大致等于 V2,但这在特定应用中会导致一些问题。关键点是 V1 和 V2 之间的电压差。

如果让 V1>V2+Vd1,那么自举电路将像上述分析一样正常工作。由于输出电容器与自举电容器并联,并且在所有工作模式下,HB-HS 之间的电压都大于 V2,因此 D2 将一直承受反向偏置。这意味着系统中不涉及 V2。与正常的自举电路运行方式相比,该情况的唯一区别是输出电容器与自举电容器并联,这意味着等效电容增加。正如以上分析,这将在自举二极管中导致更严重的电流应力。

但有一个例外,如果 FET 消耗的电容器功率过大,V2 将对自举电容器充电,这意味着自举电容器的电压已被钳位。但这对解决方案的积极影响有限。

根据以上分析,我们进行了仿真和实验来验证理论。

图 3-10图 3-11 中,我们比较了瞬态期间流入自举电容器的电流。

GUID-20240313-SS0I-9QNC-FH47-PQPMJXM1N3GP-low.svg图 3-10 仿真结果(使用 100nF 自举电容器,D=99.5%)
GUID-20240313-SS0I-37SK-20RC-TTH96B55BWRR-low.svg图 3-11 仿真结果(使用 4.7uF 自举电容器,D=99.5%)

如仿真结果所示,如果增加自举电容,反向恢复电流会大大增加。在米6体育平台手机版_好二三四应用中,栅极驱动器很可能会发生故障。

表 3-1 使用 LM76003 时的规格
输入电压 输出电压 输出电流 电容 占空比
5.5V 5.02V 1A 100nF/4.8uF 91.2%

接下来,我们使用 LM76003 来验证理论,测试规格如表 3-1 所示。电流探针用于测试从 HB 引脚流向自举电容器的电流。从图 3-12图 3-13 中可以看出,随着自举电容的增加,反向恢复电流也从 -149mA (100nF) 增加到 -165mA (4.8uF)。如果我们使用 UCC27282 或其他栅极驱动器 IC 来构建分立式高功率电源,在电容增加时,反向恢复电流幅度和压摆率会变大。

GUID-20240313-SS0I-VQLX-KTWR-LWLXR0CLSS4B-low.svg图 3-12 实验结果(100nF 自举电容器)
GUID-20240313-SS0I-6HJM-CKPP-2VFPX41LN20Q-low.svg图 3-13 实验结果(4.8uF 自举电容器)

如仿真和实验结果所示,如果 V1>V2-Vd1,则因为等效电容增加,电流应力也随之增加。在米6体育平台手机版_好二三四应用中,此过程可能会导致栅极驱动器发生故障。