MOSFET 的开关过程总是伴随着电极间电容的充放电。通过控制驱动端子的栅极电压，然后控制 MOSFET 的开关，这个过程中会产生驱动器损耗，具体如下：

其中

• V_drive 为栅极驱动电压
• Q_g 为栅极电荷因子

Q_g 与有效输入电容和栅极驱动电压有关。方程式 4 展示了驱动器损耗与开关频率成正比。