在现代电源转换中，尽管在开关断开时 V × I 损耗非常接近理想值或零值，但在开关导通时，由于 MOSFET 的导通电阻，损耗会相当大。这个特定的损耗项显然是导通损耗。

导通损耗与转换器中处理功率的时间段重合。与开关损耗不同，导通损耗与频率无关。它确实取决于占空比。方程式 3 展示了 MOSFET 的导通损耗。

其中

• I_RMS 为开关电流的 RMS
• R_DS 为 MOSFET 的导通电阻

二极管导通损耗是降压转换器中的另一个主要导通损耗项。它等于 V_D × I_{D_AVG}，其中 V_D 是二极管正向压降。I_{D_AVG} 是流经二极管的平均电流，等于降压转换器的 I_O × (1-D)。它也与频率无关。