4 总结

本应用手册提供了计算降压转换器理论压降的数学方法。我们使用了 TPS629210 和 LMR51610 的仿真模型和实践测试来验证该理论。计算和仿真结果显示出高度的一致性。实际上，FET 的温度偏移会引入一定程度的非线性。加上 FET 中温度的影响后，计算结果就非常精确。

因此，基于上述理论分析、仿真和测试结果，本应用手册提供了一种计算压降的简单方法，并说明了如何选择合适的器件以便充分利用电池。

• 具有低 R_dson 的器件

从方程式 4 中可以看出，导致压降的主要因素是 FET 的 R_dson。此外，当器件在压降区域内运行时，占空比始终会增加到占空比的上限。因此，低侧 FET 的 R_dson 可以忽略不计，我们需要选择高侧 FET 的 R_dson 较低的器件，用于尽可能降低压降。

• 具有 100% 占空比控制模式的器件

为了进一步降低压降区域中的压降，我们可以选择具有 100% 占空比功能的器件。100% 占空比表示从输入直接传导到输出，因此消除了占空比的影响。